网站首页  | 公司简介  | 企业文化  | 新闻中心  | 产品展示  | 网上预定  | 人才招聘  | 联系我们  | 企业邮局
 
   你的位置>>浜у搧灞曠ず
 
薄膜电路
发布时间:2010-06-22      
一. 产品特性
    薄膜电路是在沉积不同金属膜的绝缘基片上,通过精密光刻和薄膜工艺来制成包含高性能电感、电阻和导线的电路. 将元件和其他所需器件同时放在此电路基片上,即可形成高性能和高可靠性的混合微波集成电路(HMIC)。 此电路的优点是体积小、重量轻、热耗散好、高频率和宽带性能及高可靠性, 可以工作于1-20GHz直至毫米波段。适用于无线通信设备的应用。 
二.基板类型及材料特性
1. 基板材料特性
特性
抛光氧化铝(Al2O3)
共烧氧化铝(Al2O3)
氧化铍(BeO)
氮化铝(AlN)
石英(SiO2)
化学成分
Al2O3
Al2O3
BeO
AlN
SiO2
纯度 (%)
99.6
99.6
99.5
98
100
密度d (g/cm3)
3.87
3.87
2.85
3.28
2.2
热膨胀系数 (ppm/℃)
7.0-8.3
(25-1000℃)
7.0-8.3
(25-1000℃)
9.0 (25-1000℃)
4.6
(25-300℃)
0.65
(25-320℃)
热导率 (W/m·K)
26.9
26.9
270
170
1
相对介电常数 (εr)
9.9@25℃1MHz
9.9@25℃1MHz
6.5 @25℃1MHz
8.6@25℃1MHz
3.8@25℃1MHz
损耗 (@ 1MHz)
0.0001
0.0001
0.0004
0.001
0.000015
绝缘强度 (kV/cm)
4000
4000
---
---
10000
晶粒尺寸 (μm)
<1.0
<1.0
9 –16
5 – 7
Amorphous
硬度 (Rockwell)
87
87
45
n/a
7Mohs
弯曲强度 K(10-3) lbs/in2
90
90
35
59
25
抗压强度M(10-3) lbs/in2
54
54
----
----
161
基板尺寸 (inches)
1-3
1-3
1-2.25
1-2.25
1-2.25
2. 基板尺寸:
1″×1″(25.4 mm×25.4mm);
2.0″×2.0″(50.8 mm×50.8mm);
2.25″×2.25″(57.15 mm×57.15mm);
3.0″×3.0″(76.2 mm×76.2mm);
3. 基板厚度:
0.005″~0.025″(0.127 mm~0.635mm)
其中 0.005″、0.010″、0.015″、0.02″、0.025″为标准系列,可以迅速供应, 其他板材料提前预定。
4. 基板光洁度:<4μ-inches (0.1μm)
三. 标准金属膜
TiW = 300–800Å (0.03–0.08µm)
Au = 20–500µ" (0.5µm–12.7µm)
TaN = 10–200 ohms/square
50 ohms/square 为标准系列( 75–100 ohms/square需申请)
温度系数: TCR= ± 50ppm/°C
四. 标准尺寸和公差
最小线宽:电镀法通常为:0.0008" (20.4µm); 蚀刻法通常为:0.0004” (10.2 um) ;更小的尺寸可以定做。
最小间隙:电镀法通常为:0.0004" (10.2µm);蚀刻法通常为:: 0.0008” (20.4 um);更小的尺寸可以定做。
电阻最小尺寸:通常为 0.002” (50.8um) 更小的尺寸可以定做。
关键部位尺寸公差:通常为:± 0.0001" (2.5µm)
非关键部位尺寸公差:通常为: ± 0.0003" (7.6µm)
电路尺寸公差:通常为: ± 0.002" (50.8µm)
电阻值公差:通常为:± 10%
   

Copyright © 2010.All rights reserved 成都聚萃科技有限公司 版权所有
Add:四川省成都市武侯区聚萃街377号    P.C:610043  
   Fax:86-28-85009581   
蜀ICP备10029009号